Confirmation of α+γ Eutectoid in Cu-Si System
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
synthesis of platinum nanostructures in two phase system
چکیده پلاتین، فلزی نجیب، پایدار و گران قیمت با خاصیت کاتالیزوری زیاد است که کاربرد های صنعتی فراوانی دارد. کمپلکس های پلاتین(ii) به عنوان دارو های ضد سرطان شناخته شدند و در شیمی درمانی بیماران سرطانی کاربرد دارند. خاصیت کاتالیزوری و عملکرد گزینشی پلاتین مستقیماً به اندازه و- شکل ماده ی پلاتینی بستگی دارد. بعضی از نانو ذرات فلزی در سطح مشترک مایع- مایع سنتز شده اند، اما نانو ساختار های پلاتین ب...
stability and attraction domains of traffic equilibria in day-to-day dynamical system formulation
در این پژوهش مسئله واگذاری ترافیک را از دید سیستم های دینامیکی فرمول بندی می کنیم.فرض کرده ایم که همه فاکتورهای وابسته در طول زمان ثابت باشند و تعادل کاربر را از طریق فرایند منظم روزبه روز پیگیری کنیم.دینامیک ترافیک توسط یک نگاشت بازگشتی نشان داده می شود که تکامل سیستم در طول زمان را نشان می دهد.پایداری تعادل و دامنه جذب را توسط مطالعه ویژگی های توپولوژیکی تکامل سیستم تجزیه و تحلیل می کنیم.پاید...
Lattice location of implanted Cu in highly doped Si
We report on the lattice location of ion-implanted Cu in pand n-Si using the emission channeling technique. Following room-temperature implantation, the majority of Cu was found on near-substitutional sites in both pand n-Si. Annealing in the temperature range 200-600°C resulted in changes of near-substitutional Cu to random sites in p-Si, while in n-Si all of the near-substitutional Cu was con...
متن کاملLattice location and stability of ion implanted Cu in Si
We report on the lattice location of ion implanted Cu in Si using the emission channeling technique. The angular distribution of beta(-) particles emitted by the radioactive isotope 67Cu was monitored following room temperature implantation into Si single crystals and annealing up to 600 degrees C. The majority of Cu was found close to substitutional sites, however, with a significant displacem...
متن کاملTantalum-based diffusion barriers in Si/Cu VLSI metallizations
We have studied sputter-deposited Ta, Ta s6 ‘t4, and Ta3&ir4N~e thin lilms as diffusion Sr barriers between Cu overlayers and Si substrates. Electrical measurements on Si n +p shallow junction diodes demonstrate that a 180-nm-thick Ta film is not an effective diffusion barrier. For the standard test of 30-min annealing in vacuum applied in the present study, the Ta barrier fails after annealing...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: The Journal of the Japan Institute of Metals
سال: 1940
ISSN: 0021-4876
DOI: 10.2320/jinstmet1937.4.7_198